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光電磁聲性能表征
光電磁聲性能表征
半導體的物理特性是由它的能帶結構、載流子類型、導電機理和摻雜效應決定的。這些特性決定了半導體的導電性、光敏性、熱敏性等,也影響了半導體器件的工作原理和性能。海懷檢測實驗室具備強大的理化分析測試能力,為半導體材料提供全方位物理特性檢測。
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  項目簡介

  半導體的物理特性是由它的能帶結構、載流子類型、導電機理和摻雜效應決定的。這些特性決定了半導體的導電性、光敏性、熱敏性等,也影響了半導體器件的工作原理和性能。海懷檢測實驗室具備強大的理化分析測試能力,為半導體材料提供全方位物理特性檢測。

  常用檢測方法

  矢量網絡 (VNA)、振動樣品磁強計 (VSM)、介電性能測試、鐵電性能測試、綜合物性測量系統( PPMS / MPMS / SQUID - VSM)、霍爾效應 (HALL)、壓電性能測試、磁學特性測量、塞貝克系數 (Seebeck)、PPMS-電阻率測試、四探針電阻率測試、低阻-電阻率測試(萬用表/靜電計)、霧度及透光率測試、電化學測試、表面光電壓譜儀測試、紅外發射率測試、氣敏性能測試、光催化分解水、軟磁性能測試、高阻-電阻率測試(高阻計)、太赫茲測試等。

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