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　　項目簡介

　　電鏡分析技術對樣品厚度、導電性、磁性等有著嚴格的要求。制樣的好壞也影響著測試結果，所以對不同的材料應考慮其特性并采用合適的制備方法。

　　常用方法

　　電解雙噴制樣：電解雙噴減薄儀被廣泛應用于透射電鏡的樣品制備，可在較短時間內制備出高質量的透射電鏡樣品。兩個噴嘴同時減薄樣品的兩面，在樣品穿孔的瞬間紅外檢測系統會迅速反應自動終止減薄，確保薄區的完整。其主機包括兩個電解液槽，隔熱型使用內置冷卻管冷卻，非隔熱型使用電解液冷卻，電子溫度計實時的顯示電解液的溫度。

　　聚焦離子束(FIB)制樣：適用結構分析、材料表征、三維重構、材料轉移等領域，該系統可適用于橫截面和斷層掃描，3D分析，TEM樣品制備及納米圖形加工。

　　離子減薄：用于TEM樣品制備，應用范于陶瓷、半導體、合金及薄膜截面樣品離子束減薄，適用于合金樣品表面氧化膜去除，運用該儀器制備的樣品中間的薄區可用于透射電鏡觀測。

　　超薄切片：由于電鏡產生的電子束穿透能力很弱，必須把標本切成厚度小于0.1um以下的薄片才適用，這種薄片稱為超薄切片。常用的超薄切片厚度是50-70nm。主要針對有機聚合物材料，塊體薄膜均可，有一些材料可能需要包埋后進行切片，有些生物類材料需要需要經過取材、固定、脫水、浸透、包埋聚合、切片及染色等步驟。

　　常見問題

　　1. FIB制樣接樣注意事項是什么?

　　(1)首先樣品成分，是否導電;導電性差的話樣品要噴金;

　　(2)其次FIB的目的，截面看SEM還是TEM;TEM是做普通高分辨還是球差，普通的高分辨減薄厚度比球差要厚一些，z薄可以減薄到十個nm左右的厚度;

　　(3)進而切割或取樣位置：z好能提供位置示意圖;

　　(4)詢問材料是否耐高壓，FIB制樣一般常用電壓是30KV;

　　(5)樣品z好表面拋光。

　　2. FIB-TEM制樣流程圖是什么?

　　(1)找到目標位置，表面噴Pt保護;

　　(2)把目標位置前后兩側挖空，剩下目標區域;。

　　(3)機械納米手將這個薄片取出，開始離子束減薄;

　　(4)減薄到理想厚度后停止;

　　(5)將樣品焊到銅網上的樣品柱上。一個銅網上有4個柱子，z多可以放4個樣品。

　　注意事項：制備好的樣品，需要裝在自吸附盒里，避免強烈碰撞，強烈碰撞會導致樣品從樣品柱上脫落，一旦脫落，樣品無法找回。

　　3. 可以接粉體樣么?

　　可以，一般是滴在硅片上風干后制樣。