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　　項目簡介

　　芯片工作壽命試驗，為利用溫度、電壓加速方式，在短時間試驗內，預估芯片在長時間可工作下的壽命時間(生命周期預估)。典型浴缸曲線分成早夭期、可使用期及老化期，對于不同區段的故障率評估，皆有相對應的試驗手法。

　　檢測范圍

　　功率器件、二極管和分立晶體管器件等。

　　檢測項目

　　高溫工作壽命、低溫工作壽命、高溫正偏試驗、高溫反偏試驗、高溫柵偏試驗等。

　　上述各項實驗條件，均需要施加電源或信號源，使得組件進入工作狀態或穩態，經由電壓、溫度、時間等加速因子交互作用下，達到材料老化的效果，并從試驗結果計算出預估產品的故障率、平均無故障時間及失效率。

　　參考規范

　　JESD 47 Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits

　　JESD 74 Early Life Failure Rate Calculation Procedure for Semiconductor Components

　　JESD22-A101 Steady State Temperature HumidityBias Life Test

　　JESD22-A110 Highly Accelerated Temperature andHumidity Stress Test (HAST)

　　JESD22-A108 Temperature, Bias, and Operating Life